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Ré-examen du comportement Raman/IR de l’alliage semiconducteur ZnSeS : modèle de percolation et calculs ab initio

Ré-examen du comportement Raman/IR de l’alliage semiconducteur ZnSeS : modèle de percolation et calculs ab initio

Titre de la revue et éditeur: 
PAMO (2-6 juin 2012, Metz, France)
Type: 
Communications orales dans un congrès national ou international
Langue de l'article: 
FR
Date: 
02/06/2012
Equipe / Pôle de recherche: 
Ordre-désordre / Auto-organisation